研究課題
基盤研究(C)
第一原理計算を用いた砥粒-加工物接触点近部の電子状態解析を行った.一般的に表面に付着した水酸基が加工の進展に寄与しているとされるシリカ粒子の場合,シリカ粒子を単結晶シリコン表面に接近させていっても単結晶シリコン内部の電子状態に大きな変化は見られなかった.一方,固相反応を生じるを考えられている酸化バリウムの場合,単結晶シリコンの最表面と2層目のSi原子間で電子密度の減少がみられた.
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