研究概要 |
本研究は,ナノ構造で材料の熱物性を制御する際に必要となるフォノンと電子の平均自由行程を MEMS 技術で作製したデバイスにより測定することを図った.数um 程度の孔を多数有する Si 薄膜を生成し,その熱伝導率を測定したところフォノンの平均自由行程が電子のものより長く,見かけの熱伝導率が従来の拡散輸送の式で説明できない結果を得た.さらにその長さを古典的なフォノン輸送の式で見積もったところ,室温付近で 3um 程度と比較的長い結果が示され,電子の平均自由行程より長いことも明らかとなった.
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