研究課題
基盤研究(C)
リップル成分を含んだ電流を超伝導体に流したときに発生する通電損失を理論的に評価した。その際には自己磁場による臨界電流密度の低下を考慮に入れた。また有限要素法を用いて同様の検討を行い、任意形状の超伝導体について数値計算ができることを確かめた。この結果、リップル電流振幅が十分に小さければ、通電損失は十分に小さく実用上は問題ないであろうことを確かめることができた。
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Physica C accepted
DOI:10.1016/j.physc.2013.04.075
Physics Procedia
巻: vol. 27 ページ: 248-251
DOI:10.1016/j.phpro.2012.03.45
http://aquarius20.cse.kyutech.ac.jp