| 研究概要 |
LEDに適した高キャリア密度のＰドープZnTe，Zn1-xMgxTeのエピ膜，PﾄﾞｰﾌﾟZnTe系（ZnTe,Zn1-xMgxTe, Zn1-xMgxTe1-ySey）エピ層の高品質化の達成とZnTe緑色LED構造の試作・性能試験の実施を目的として研究を進めた。まず，ＰドープZnTe，Zn1-xMgxTeのエピ膜の高キャリア密度化のためのアニ－ル条件, 有機金属化学気相成長の成長条件との関係をホール効果測定の測定温度依存性，フォトルミネッセンス特性， 原子間力顕微鏡観察等の測定による結晶評価を実施することにより掌握しようとした。その結果、ZnTe，Zn1-xMgxTe共に，アニ－ルは高キャリア密度の達成に有効であるが、補償比の改善には成長時のVI/II供給量比を1もしくはそれ以下にすることが重要であることを見出した。また，ZnTeエピ膜については平坦な表面の成長条件を追及できた。 Zn1-xMgxTe1-ySeyは有機金属化学気相成長での作製例が殆んどないことから，X線回折，SEM/CL像，EDX，ラマン分光などの評価を用いて，主として基板温度の組成依存性を掌握することにより，ZnTeと格子整合する成長条件を探究した。続いて，Zn1-xMgxTeとZnTeとのへテロ接合LEDを作製し，ZnTeのホモ接合LEDとの比較を行った。ZnTeバ ルク結晶の代わりに高品質エピ膜を用いてLED化するとバルク結晶と同程度以上の性能を得ることができたが，へテロ接合の場合，格子不整合が性能に大きな影響を及ぼし，界面付近に生じる非発光領域の抑制は容易でないことが分かった。そこで，上記のようにZn1-xMgxTeにSeを付加してZnTeと格子整合させることを試み，格子整合させることに成功し、目下LEDの試作を実施しているところである。
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