研究概要 |
有機金属気相成長法によるp型ド-ピング, 窒素雰囲気でのアニ-などについてZnTeとともにZn_Mg_xTeについて研究した主な成果を以下のように簡単にまとめた。Al拡散制御層を用いた我々のZnTe緑色LEDの最近の成果を論評した。ZnTeについて,電気的光学的性質の原料供給量依存性,VI/II原料供給量比依存性などがアニ-ル処理の有無双方について明らかにされた。ZnTeと同じようにTDMAPを用いるとp型の高キャリア密度のZn1-xMgxTeが得られた。Zn_Mg_xTeにおいてアニ-ルが効果に作用するのはTe供給不足の成長条件であり,Te供給過剰の成長条件では高い補償を示した。同様な傾向はZnTeにおいても見出された。
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