高性能緑色域半導体レーザに向けた新ヘテロ材料の開拓

2012 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 22560301
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 上智大学
• 研究代表者: 野村 一郎 上智大学, 理工学部, 准教授 (00266074)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2012
• キーワード: 電気 / 電子材料

研究概要

高性能緑色半導体レーザのためのクラッド層材料の開拓を進めた。InP基板上のII-VI族化合物半導体や従来透明導電膜として使われている酸化インジウムスズ(ITO)について、クラッド層材料としての可能性を調べた。P側クラッド層にITOを用いたレーザ構造を提案し、理論解析により良好な光導波特性が得られことを示した。更に、ITOの成膜条件やITOとのコンタクト層材料について検討し、素子の高性能化に向けた条件を明らかにした。

研究成果

• [雑誌論文] Photopumped lasing characteristics in green-to-yellow range for BeZnSeTe II-VI compound quaternary double heterostructures grown on InP substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: I. Nomura, Y. Sawafuji, and K. Kishino
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: Vol. 50 ページ: 031201-1-8
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.031201
  • 査読あり
• [雑誌論文] Proposal of BeZnTe/ZnSeTe superlattice quasi-quaternaries on InP substrates for yellow/green light emitting devices
  • 著者名/発表者名: T. Kobayashi, I. Nomura, K. Murakami, and K. Kishino
  • 雑誌名: J. Cryst. Growth
  • URL: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002202481200958X
  • 査読あり
• [学会発表] InP 基板上 BeZnSeTe 系II-VI族半導体光デバイスにおける ZnSeTe p 側コンタクト層の効果 (2013)
  • 著者名/発表者名: 高松眞吾,野村一郎,小林俊輝,岸野克巳
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川
  • 年月日: 2013-03-27
• [学会発表] Proposal of BeZnTe/ZnSeTe superlattice quasi-quaternaries on InP substrates for yellow/green light-emitting devices (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Kobayashi, I. Nomura, K. Murakami, and K. Kishino
  • 学会等名: The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
  • 発表場所: Nara, Japan
  • 年月日: 2012-09-27
• [学会発表] InP 基板上BeZnTe/ZnSeTe 超格子擬似混晶における発光波長制御 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小林俊輝,村上佳介,野村一郎,白石智裕,高松眞吾,岸野克巳
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
  • 年月日: 2012-09-14
• [学会発表] InP 基板上ZnCdSe/BeZnTe タイプII超格子におけるフォトルミネッセンス発光特性の評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 村上佳介,小林俊輝,野村一郎,白石智裕,高松眞吾,岸野克巳
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 松山
  • 年月日: 2012-09-14
• [学会発表] Development of II-VI compound semiconductors on InP substrates for green and yellow lasers (2012)
  • 著者名/発表者名: I. Nomuraand K. Kishino
  • 学会等名: The 1st Annual World Congress of Advanced Materials Conference
  • 発表場所: Beijing, China
  • 年月日: 2012-06-08
• [学会発表] InP 基板上 BeZnTe/ZnSeTe超格子擬似混晶の作製と評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 小林俊輝,野村一郎,村石一生,村上圭祐,岸野克巳
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-18
• [学会発表] InP 基板上 BeZnSeTeII-VI族半導体混晶の発光特性評価 (2010)
  • 著者名/発表者名: 村石一生,野村一郎,バディヴェル ラメッシュ,澤藤豊,岸野克巳
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎
  • 年月日: 2010-09-14