| 研究課題/領域番号 |
22560307
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 諏訪東京理科大学 |
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研究代表者 |
福田 幸夫 諏訪東京理科大学, システム工学部, 教授 (50367546)
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| 研究分担者 |
石崎 博基 諏訪東京理科大学, システム工学部, 助教 (20383507)
王谷 洋平 諏訪東京理科大学, システム工学部, 准教授 (40434485)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| キーワード | 誘電体薄膜 / 表面・界面物性 / 超薄膜 / MOS 構造 / プラズマ酸化 / 原子層堆積 法 / 酸化ハフニウム / 酸化アルミニウム |
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| 研究概要 |
本研究課題では、マイクロ波リモートプラズマにより生成した原子状酸素を酸化剤として用いた原子層堆積(PA-ALD)法による高誘電率金属酸化膜の低温形成技術の確立を目的として研究を行った。その結果、シリコン基板上にはシリコン酸化物と金属酸化物の化合物であるシリケート絶縁膜が、ゲルマニウム基板上にはゲルマニウム酸化物と金属酸化物の化合物であるジャーマネイト絶縁膜が300℃以下の低温で自発的に形成される現象を見出した。
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