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2012 年度 実績報告書

スピントランジスタ構造へのハーフメタルグラニュラーの適用の試み

研究課題

研究課題/領域番号 22560308
研究機関大同大学

研究代表者

神保 睦子  大同大学, 工学部, 教授 (00115677)

研究期間 (年度) 2010-04-01 – 2013-03-31
キーワードスピントランジスタ / グラニュラー膜 / ハーフメタル / トンネル伝導 / スピンエレクトロニクス
研究概要

スピン分極率が100%と予測されるハーフメタルの第1候補としてCoFeAlSiホイスラー合金を,絶縁材料としてはAlOxを取り上げ,グラニュラー膜を作製し,そのTMR特性を評価してきた。その結果,室温で約18%のグラニュラー膜としては最大のMR比を得ることができ,これはCoFeAlSiホイスラー合金の高いスピン分極率を反映しているためと考えられた。しかし,この結果を得るためには,特定のガラス基板を使わなければならないことが分かるまで多くの時間を費やした。10%程度のMR比を示す試料は比較的再現よく作製することができるが,この程度のMR比では,試料が,CoFeAlSi合金のハーフメタル性を反映した結晶構造を示さなくても可能でことが分かった。
作製した試料のX線回折結果を詳細に調べたところ,10%以上のMR比を得るためには,わずかではあるがハーフメタル性を特徴づける結晶構造をとる必要があることが明らかとなった。そこで,バッファー層として使用しているMgOの膜厚を変化させて,MR比の依存性やグラニュラー膜の構造を調べた。また,ガラス基板の表面ラフネスをAFMを用いて調べ,グラニュラー膜の構造との相関性を検討した。さらには,Si基板上にMgOやSiNなどをバッファー層として,膜厚を変化させてグラニュラー膜の構造の制御を試みた。しかし,現時点では10%以上のMR比を示す試料の作製条件を明確にすることはできなかった。

現在までの達成度 (区分)
理由

24年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

24年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (1件)

すべて その他

すべて 学会発表 (1件)

  • [学会発表] Tunneling magnetoresistance effect and structure of granular films using CoFeAlSi alloy

    • 著者名/発表者名
      M. Kondo, T. Chino, M. Hattori, Y. Urakawa, Y. Fujiwara, T. Kato, M. Jimbo
    • 学会等名
      International Conference of the Asian Union of Magnetics Societies
    • 発表場所
      奈良県公会堂

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公開日: 2014-07-24  

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