AlGaN/GaNヘテロ接合界面のバンド構造解析と高品質化

2012 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 22560309
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 中部大学
• 研究代表者: 中野 由崇 中部大学, 総合工学研究所, 准教授 (60394722)
• 連携研究者: 色川 芳宏 物質・材料研究機構, 主任研究員 (90394832)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2012
• キーワード: 電気・電子材料 / 窒化物半導体 / 半導体物性 / 結晶工学

研究概要

AlGaN/GaNヘテロ構造のGaNバッファ層のMOCVD結晶成長温度が低い程(1120～1170℃)、炭素取り込み量が多くなり、伝導帯下2.07,2.80,3.23eVに欠陥準位が顕在化する傾向を示す。これらの欠陥準位はGa空孔,Ga空孔-炭素,炭素に帰属するものと思われる。また、2.80eVと3.23eVの欠陥準位は2次元電子ガスのキャリアトラップとして働くことがわかった。

研究成果

• [雑誌論文] Correlation between deep-level defects and turn-on recovery characteristics in AlGaN/GaN hetero-structures (2013)
  • 著者名/発表者名: Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi,H.Kawai
  • 雑誌名: Journal of Applied Physics 巻: 112(10) ページ: 106103
  • DOI: DOI:10.1063/1.4767367.
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Carbon Impurity Incorporation on Band-Gap States in AlGaN/GaN Hetero-Structures (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi,H.Kawai
  • 雑誌名: Electrochemical and Solid-State Letters 巻: 15(2) ページ: HH44-HH46
  • DOI: DOI:10.1149/2.025202esl.
  • 査読あり
• [雑誌論文] Photo-Capacitance Spectroscopy Investigation of Deep-Level Defects in AlGaN/GaN hetero-structures with different current collapses (2010)
  • 著者名/発表者名: Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi,H.Kawai
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (RRL) 巻: 4(12) ページ: 374-376
  • DOI: DOI:10.1002/pssr.201004421
  • 査読あり
• [学会発表] Correlation between Deep-Level Defects and Current Collapses in AlGaN/GaN Hetero-Structures (2012)
  • 著者名/発表者名: Y.Nakano
  • 学会等名: 11th International Symposium on Advanced Technology
  • 発表場所: 工学院大学(東京)
  • 年月日: 2012-10-31
• [学会発表] Correlation between turn-on recovery characteristics and deep-level defects in AlGaN/GaN hetero-structures (2012)
  • 著者名/発表者名: Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors2012
  • 発表場所: 札幌コンベンションセンター(札幌)Sapporo.
  • 年月日: 2012-10-16
• [学会発表] Correlation between Current Collapses and Deep-Level Defects in AlGaN/GaN Hetero -Structures Probed by Photo-Capacitance Spectroscopy (2011)
  • 著者名/発表者名: Y.Nakano, Y.Irokawa, Y.Sumida, S.Yagi, H.Kawai
  • 学会等名: 9th International Conference on Nitride Semiconductors
  • 発表場所: Scottish Exhibition and Conference Centre(Glasgow,UK).
  • 年月日: 2011-07-13
• [図書] AlGaN/GaNヘテロ構造の欠陥準位評価 (2012)
  • 著者名/発表者名: 中野由崇
  • 総ページ数: 127-136
  • 出版者: S&T出版
• [備考]
  • URL: http://www.chubu.ac.jp/about/faculty/profile/18fda985f369f45f4e48e0e57ab46fa441142616.html
• [産業財産権] ワイドギャップ半導体のバンドギャップ電子物性測定方法及び測定装置 (2012)
  • 発明者名: 中野由崇、中村圭二
  • 権利者名: 同上
  • 産業財産権番号: 特許,特願 2012-168032
  • 出願年月日: 2012-07-30