研究課題
基盤研究(C)
磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)に書込む際に加熱アシストすることは,スピン注入(STT)磁化反転のための臨界電流を低減するために有効と考えられる.本研究では,GdFeCoメモリ層をもつ巨大磁気抵抗膜を用いてMRAM応用のための熱アシストSTT磁化反転を試みた.さらに垂直磁化を有しキュリー温度の低いTbFeメモリ層をもつ磁気トンネル接合についても熱アシストSTT磁化反転を試みた.その結果,熱アシストがSTT磁化反転のための書込み電流を低減するのに有効であることが分かった.
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