研究課題
基盤研究(C)
本研究では,電流誘起磁壁移動を利用したナノワイヤメモリにおいて,磁壁移動のための閾値電流密度低減,及び,高密度化を検討するために,物性値及び素子構造を検討した.物性値が閾値電流密度に及ぼす影響を検討したところ,飽和磁化低減が閾値電流密度低減に有効な手段であることを明らかにし,補償組成近傍のフェリ磁性体がその有力な候補であることを提案した.また,高密度化を実現するための構造として,グラニュラ-磁性膜,連続磁性膜を積層した二層ナノワイヤを提案し,高密度化見通しを示した.
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