| 研究概要 |
高温・高周波で安定に動作する電子デバイスの実現をめざして、AlGaN/GaN 絶縁ゲート HEMT (MISHEMT)を作製した。ゲート絶縁膜として、 SiN, Al_2O_3, HfO_2, ZrO_2 とそれらの複合膜を広く検討した。試作した ZrO_2/Al_2O_3 複合絶縁膜をもつ MISHEMT は室温で低いゲートリーク電流(1x10^-10A/mm)を示した。この値は従来の HEMT に比べて約3桁低い値であった。ZrO_2/Al_2O_3 複合絶縁膜 MISHEMT は、デバイス動作温度が室温から 300℃まで上昇しても、ゲートリーク電流の増加が最も小さいことが分かった。また、ZrO_2/Al_2O_3 複合絶縁膜 MISHEMT は優れた直流特性と安定した界面特性を示した。これらの結果から、今回開発した ZrO_2/Al_2O_3 複合絶縁膜 MISHEMT が高温・高周波エレクトロニクス応用として相応しいことが明らかとなった。
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