半導体産業分野を初めとする工業分野において液体クラスターイオンビーム技術を応用するために、液体クラスターイオンビーム照射装置の改良を行った。ビーム電流密度約 3 μA/cm2の水クラスターイオンビームが得られた。水クラスターイオンビームがシリコン及び PMMA に対して高い加工能力を持つことが分かった。さらに、この改良によりクラスター材料としてのアセトンの使用が可能になり、サポートガスを使用せずにアセトンクラスターイオンビームを生成した。アセトンクラスターイオンビームはシリコン基板に対して高い加工能力を持つことが分かった。
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