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2012 年度 研究成果報告書

窒化ガリウムを用いた細胞培養監視用pHセンサの開発

研究課題

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研究課題/領域番号 22560332
研究種目

基盤研究(C)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関徳島大学

研究代表者

敖 金平  徳島大学, 大学院・ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授 (40380109)

研究期間 (年度) 2010 – 2012
キーワードpHセンサ / 窒化ガリウム / AlGaN/GaN へテロ構造 / GaN MOSFET / 耐熱電極
研究概要

本研究では窒化ガリウム(GaN)系半導体 AlGaN/GaN へテロ構造を用い、細胞培養監視用 pHセンサの開発を目的とする。反応性スパッタリングにより高温に耐える TiN ショットキー電極を開発した。AlGaN/GaN へテロ構造上 pHセンサ用 GaN MOSFET のプロセスを最適化し、電子移動度 160 cm^<2>/Vs 台のデバイスが得られた。AlGaN/GaN へテロ構造を用いて pH センサの設計、試作、実装、評価を行い、 80℃まで pH センサとして動作が確認できた。各温度で理想値に近い感度が得られた。

  • 研究成果

    (17件)

すべて 2013 2012 2011

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (13件)

  • [雑誌論文] Thermally stable TiN Schottky contact on AlGaN/GaN heterostructure2013

    • 著者名/発表者名
      Jin-Ping Ao, Yoshiki Naoi, Yasuo Ohno
    • 雑誌名

      Vacuum

      巻: vol. 87, No. 1 ページ: 150-154

    • DOI

      DOI:10.1016/j.vacuum.2012.02.038

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Influence of Dry Recess Process on Enhancement-Mode GaN Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors2013

    • 著者名/発表者名
      Qingpeng Wang, Kentaro Tamai, Takahiro Miyashita, Shin-ichi Motoyama, Dejun Wang, Jin-Ping Ao, and Yasuo Ohno
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: vol. 52, No.1 ページ: 1-5

    • DOI

      DOI:10.7567/JJAP.52.01AG02

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Design Fabrication and Characterization of GaN MOSFET (in Chinese)2012

    • 著者名/発表者名
      王青鵬, 江〓, 敖金平, 王徳君
    • 雑誌名

      Power Electronics

      巻: vol. 46, No. 12 ページ: 81-83

    • URL

      http://www.dldzjs.com/

    • 査読あり
  • [雑誌論文] GaN MOSFET with a gate SiO2insulator deposited by silane-basedplasma-enhanced chemical vapor deposition2011

    • 著者名/発表者名
      Jin-Ping Ao, Katsutoshi Nakatani, Yuji Sogawa, Shiro Akamatsu, Young Hyun Kim, Takahiro Miyashita, Shin-ichi Motoyama, and Yasuo Ohno
    • 雑誌名

      Phys. Status Solidi C

      巻: vol. 8, No. 2 ページ: 457-460

    • DOI

      DOI:10.1002/pssc.201000489

    • 査読あり
  • [学会発表] AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたpHセンサの温度依存性2013

    • 著者名/発表者名
      新潟 一宇
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府)
    • 年月日
      2013-09-17
  • [学会発表] Oxide Thickness Dependency on Threshold Voltage of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN Heterostructure2013

    • 著者名/発表者名
      Qingpeng Wang
    • 学会等名
      第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
    • 年月日
      2013-03-27
  • [学会発表] Field Isolation of GaN MOSFET by Boron Ion Implantation2013

    • 著者名/発表者名
      Ying Jiang
    • 学会等名
      第60回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
    • 年月日
      2013-03-27
  • [学会発表] Device Isolation for GaN MOSFETs With Boron Ion Implantation2013

    • 著者名/発表者名
      Ying Jiang
    • 学会等名
      5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials
    • 発表場所
      名古屋大学(愛知県)
    • 年月日
      2013-01-28
  • [学会発表] Evaluation of a Gate-First process for AlGaN/GaN HFETs2013

    • 著者名/発表者名
      Liuan Li
    • 学会等名
      5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials
    • 発表場所
      名古屋大学(愛知県)
    • 年月日
      2013-01-28
  • [学会発表] Synthesis and Application of Metal Nitrides as Schottky Electrodes for Gallium Nitride Electron Devices2012

    • 著者名/発表者名
      Jin-Ping Ao
    • 学会等名
      the first international conference on emerging advanced nanomaterials
    • 発表場所
      Mercure Hotel, Brisbane (Australia)
    • 年月日
      2012-10-22
  • [学会発表] GaN MOSFET with Boron Trichloride-Based Dry Recess Process2012

    • 著者名/発表者名
      Ying Jiang
    • 学会等名
      11th Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology and 25th Symposium on Plasma Science for Materials
    • 発表場所
      京都大学(京都府)
    • 年月日
      2012-10-02
  • [学会発表] GaNデバイスにおけるゲート・ファースト・プロセスの検討2012

    • 著者名/発表者名
      白石孝之
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学、松山大学(愛媛県)
    • 年月日
      2012-09-11
  • [学会発表] AlGaN/GaN MISHFETチャネル電子移動度の測定2012

    • 著者名/発表者名
      玉井健太郎
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      福井大学(福井県)
    • 年月日
      2012-07-26
  • [学会発表] GaN MOSFET 電気特性へのチャネルリセスエッチングの影響2012

    • 著者名/発表者名
      玉井健太郎
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
  • [学会発表] Characterization of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN Heterostructure2012

    • 著者名/発表者名
      Qingpeng Wang
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京都)
    • 年月日
      2012-03-17
  • [学会発表] Influence of Dry Recess Process on Enhancement-mod GaN MOSFET2012

    • 著者名/発表者名
      Qingpeng Wang
    • 学会等名
      4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials
    • 発表場所
      中部大学(愛知県)
    • 年月日
      2012-03-07
  • [学会発表] Thermally Stable TiN Schottky Contact on AlGaN/GaN Heterostructure2011

    • 著者名/発表者名
      Jin-Ping Ao
    • 学会等名
      The 11thInternational Symposium on Sputtering and Plasma Processes
    • 発表場所
      京都リサーチパーク(京都府)
    • 年月日
      2011-07-08

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公開日: 2014-08-29  

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