• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2012 年度 実績報告書

銅置換によるアルミナ・カルシア系エレクトライド結晶の高導電化とそのメカニズム解明

研究課題

研究課題/領域番号 22605004
研究機関山梨大学

研究代表者

田中 功  山梨大学, 医学工学総合研究部, 教授 (40155114)

研究分担者 長尾 雅則  山梨大学, 医学工学総合研究部, 助教 (10512478)
研究期間 (年度) 2010-04-01 – 2013-03-31
キーワードアルミン酸カルシウム / エレクトライド / 単結晶育成 / 電子スピン共鳴 / 銅イオン / FZ法 / 固液界面制御 / 還元熱処理
研究概要

本研究は、In等の稀少金属を用いない透明導電体や高効率電子放出材料の開発を目指して、アルミン酸カルシウム(Ca12Al14O33;C12A7)中にCu2+を置換した銅置換C12A7(Cu:C12A7)高品質バルク単結晶を育成し、その育成結晶を用いて熱処理により高伝導率のエレクトライド結晶を合成する条件を明らかにするとともに、銅置換効果を詳細に調べることでITOに匹敵する高導電体発見の手がかりを掴むことを目的としている。
平成24年度は、(1)TSFZ法よる無置換およびCu置換C12A7の高品質単結晶の育成、(2)育成単結晶のエレクトライド化条件と導電率との相関について検討した。単結晶育成に関しては、サブグレインやクラック,気泡が発生しやすいという問題があったが、加熱光源であるハロゲンランプのフィラメント形状を平板状からコイル状に変えたことにより結晶と溶融帯との固液界面の形状を凹状から凸状に反転させることができ、サブグレインのない直径15mmの大口径の単結晶を育成することに成功した。次に、エレクトライド化については、真空雰囲気中でチタン金属と一緒に1100℃,48時間熱処理することにより、無置換C12A7エレクトライドの導電率が716 S/cmに対して、Cu:C12A7エレクトライドは1890 S/cmの高い導電率を得ることができた。また、ESR測定の結果から、エレクトライド化によってCu:C12A7結晶中のCu2+イオンがCu+に還元されることが明らかになった。したがって、Cu:C12A7エレクトライドではその結晶構造中の(Ca:Cu)-Al-Oケージが導電パスとなることが導電率の向上に起因していると示唆される。

現在までの達成度 (区分)
理由

24年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

24年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (6件)

すべて その他

すべて 学会発表 (5件) (うち招待講演 1件) 備考 (1件)

  • [学会発表] Control of Solid-Liquid Interface of Molten Zone by Mirror-Tilted Floating Zone Growth

    • 著者名/発表者名
      Isao Tanaka, A.R. Sarker, Ryuuichi Hada, Masanori Nagao, Satoshi Watauchi
    • 学会等名
      4th Europian Conference on Crystal Growth (ECCG4)
    • 発表場所
      ストラックライド大学(イギリス)
  • [学会発表] Growth Interface Control for Cu-substituted Calcium Aluminate by FZ method

    • 著者名/発表者名
      Kota Kakizawa, Masanori Nagao, Satoshi Watauchi, Isao Tanaka
    • 学会等名
      4th Europian Conference on Crystal Growth (ECCG4)
    • 発表場所
      ストラックライド大学(イギリス)
  • [学会発表] 銅置換 C12A7 単結晶の FZ 法による育成界面制御

    • 著者名/発表者名
      柿澤 浩太,長尾 雅則,綿打 敏司,田中 功
    • 学会等名
      第28回日本セラミックス協会関東支部研究発表会
    • 発表場所
      静岡大学(静岡県)
  • [学会発表] 銅置換 C12A7 単結晶の FZ 育成における加熱ランプのフィラメント形状による固液界面形状への影響

    • 著者名/発表者名
      柿澤 浩太,長尾 雅則,綿打 敏司,田中 功
    • 学会等名
      第 73 回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
  • [学会発表] Control of Crystal -Liquid Interface during FZ Growth of Oxides

    • 著者名/発表者名
      Isao Tanaka
    • 学会等名
      Workshop "Floating Zone Technique"
    • 発表場所
      ライプニッツ固体材料研究所(ドイツ)
    • 招待講演
  • [備考] 山梨大学研究者総覧

    • URL

      http://erdb.yamanashi.ac.jp/rdb/A_DispInfo.Scholar/0/A7C97FEAF2387814.html

URL: 

公開日: 2014-07-24  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi