研究課題
基盤研究(C)
集光加熱FZ法より、コイル状フィラメントのハロゲンランプを用いることで気泡やサブグレインのない直径15mmの大口径のCu置換C12A7高品質単結晶を育成することに成功した。Cu置換C12A7結晶を真空雰囲気中でチタン金属と一緒に1100°C,48時間熱処理することにより、約1890 S/cmの高い導電率が得られた。これはCu置換C12A7エレクトライドの結晶構造中の(Ca,Cu)-Al-Oケージが導電パスとなることに起因していると考えられる。
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http://erdb.yamanashi.ac.jp/rdb/A_DispInfo.Scholar/0/A7C97FEAF2387814.html