2011 年度研究成果報告書

高密度反応媒体を用いた窒化物半導体基板の創製

研究課題

研究課題/領域番号	22656170
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	補助金
研究分野	金属生産工学
研究機関	東北大学
研究代表者	佐藤讓東北大学, 大学院・工学研究科, 教授 (80108464)
研究期間 (年度)	2010 – 2011
キーワード	結晶育成 / 窒化物 / 化合物半導体 / 溶融塩
研究概要	窒化アルミニウム(AlN)は、紫外領域の発光素子や次世代のパワー半導体として期待されているが、AlNの自立基板の製造法が確立されていないため実用化に至っていない。本研究では、金属Alの表面に形成されたアルミナ層を、溶融弗化物を共存させることで溶解・除去し、N_2もしくはNH_3を反応させAlNを合成することを試みた。その結果、溶融弗化物を用いることにより、Alの融点以下の温度においてすら窒化反応が顕著に進行することが分かった。