研究課題
若手研究(A)
二重トンネル接合素子の磁気抵抗効果について明らかにするためにゲートバイアス電圧依存性および界面の極微構造について系統的な調査を行った。ゲートバイアスはトンネル接合部位の横方向から印加できる素子を新たに作製した。その結果、ゲートバイアス電圧によりクーロンブロッケードが変調できている可能性が示唆される結果を得た。しかし、その変調効果は弱く、ゲート間距離を短くしてバイアス効果を高める必要があることがわかった。また、高分解電子顕微鏡観察から原子拡散と歪みが印加されていることがわかった。本研究によりゲート変調による磁気抵抗比の増大は得られたものの増大量は理論予測よりかなり低いことがわかった。
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Journal of Applied Physics
巻: 114巻 ページ: 163904
10.1063/1.4826908
巻: 111巻 ページ: 07C710
10.1063/1.3677266
Applied Physics Letters
巻: 99巻 ページ: 012502
10.1063/1.3605564
Journal of Physics : Conference Series
巻: 200巻 ページ: 052009
10.1088/1742-6596/200/5/052009