研究課題
貼り合わせ作製したIII-V-OI基板の耐熱性向上に向けた研究を進めた。Al2O3を堆積する際の温度を200度から350度に変化させたとき、より高温で堆積した方がボイドの発生が抑制されることが分かった。これによりAl2O3からのデガスがボイドの発生原因であることを明確にした。また300度以上の堆積温度でボイドの発生を完全に抑制できることを明らかにした。また、高品質横型PIN接合を低温で形成するためのプロセス技術の研究を進めた。P型ドーピングにおいては、これまでのイオン注入法に代わり、SOGからのZn固相拡散を用いた接合形成をIII-V-OI基板上で実現するための研究を進めた。500度から700度においてZn固相拡散することで、良好なP型ドーピングが可能であることを実験的に明らかにした。また貼り合せIII-V-OI基板に対しても同様のドーピングが可能であることを実証した。III-V細線導波路光素子においては、引き続き、導波路損失を低減するための研究を進めた。EB直描を用いることで導波路側壁ラフネスを低減することで低損失細線導波路を実現した。また、SOGを用いたZn拡散を用いたマッハ・ツェンダー型光スイッチを作製することで、寄生抵抗を大幅に削減することに成功し、低電圧での光スイッチ駆動を実現した。また、InGaAsP中におけるキャリア誘起屈折率変化を解析することで、Siよりも大きな屈折率変化が得られることを明らかにするとともに、相対的な損失変化が小さいことから、低クロストーク光スイッチがIII-V-OI上で実現可能であることを理論的に示唆するとともに、実験的にも明らかにすることに成功した。またIII-V-OI基板上でのInGaAsナノワイヤトランジスの動作実証にも成功した。
25年度が最終年度であるため、記入しない。
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