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本研究では、我々のグループが世界に先駆けて開発に成功したフレキシブルな有機フローティングゲートトランジスタ(Science,Vol.326pp.1516-1519(2009))に用いた自己組織化単分子ゲート絶縁膜の製膜プロセスを確立し、アンビエントエレクトロニクスに整合する大面積エリアメモリへ応用することを目的として取り組んできた。一連の研究を通し、フレキシブルな有機フローティングゲートトランジスタの伝導機構の解明とともに、それを用いた不揮発性メモリ現象を明らかにし、極めて信頼性の高いフレキシブル有機不揮発性メモリの開発に成功した。
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