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2012 年度 実績報告書

窒化クロムの元素置換による正方晶化:要因解明と超高硬度材料の新規合成

研究課題

研究課題/領域番号 22686069
研究機関長岡技術科学大学

研究代表者

鈴木 常生  長岡技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 助教 (00313560)

研究期間 (年度) 2010-04-01 – 2013-03-31
キーワード酸窒化クロム / 硬質薄膜 / 超高真空 / エピタキシャル成長 / 酸化挙動 / 精密酸素量制御 / レーザーアブレーション
研究概要

酸素含有量を精密制御して作製したCr(N,O)薄膜の組成分析の結果、O含有量の増加に従いCr濃度の低下が見られ、金属元素と非金属元素の比は、2:3つまりCr2O3に近づく事が確認できた。以前のCr(N,O)薄膜は結晶粒が数十nmと非常に微細であるために、種々の評価が困難であった。このため格子定数が近いMgO基板を用いて単結晶に近いCr(N,O)薄膜を作製した。X線回折のφスキャンは90度毎にピークが出現しており、高分解能透過電子顕微鏡観察では基板に対して格子縞が連続していることから、薄膜がエピタキシャル成長していることを確認した。基板拘束による若干の正方晶化は見られるものの、基本的に岩塩型構造であった。これら組成分析と構造評価の結果より、Crサイト空孔の存在が示唆された。ただし、制限視野電子線回折にて2倍の超格子が確認できた試料も存在し、空孔による原子配列の秩序化の可能性が浮上した。Cr(N,O)薄膜の電気伝導性は酸素含有量の増加に伴い、電気伝導性が低下した。電子相関によるd電子の局在化と考えられる。局在化は、当初の予想であるヤーン・テラー効果の発現を期待させるが、Cr空孔の存在はヤーン・テラー効果の発現を否定する要因である。過去に見られた正方晶化は、秩序化等の構造起因である可能性が浮上してきた。多結晶Cr(N,O)薄膜の酸化挙動は、系外から供給された酸素が粒界拡散によりCr(N,O)を酸化させるモデルが考えられていたが、粒界が極めて少ないエピタキシャル膜で評価した結果、酸素はCr(N,O)結晶粒内を拡散していることが判明し、結晶粒内の酸素量が増加しても岩塩型を維持していた。構造を維持した固溶限内での酸素量の増加は、高硬度化に直結することから、Cr(N,O)は、高温の酸化雰囲気中で材料自らが高硬度化するインテリジェントマテリアルと捉えられることが判明した。

現在までの達成度 (区分)
理由

24年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

24年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (8件)

すべて 2013 その他

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (7件)

  • [雑誌論文] Controlling Oxygen Content by Varying Oxygen Partial Pressure in Chromium Oxynitride Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition2013

    • 著者名/発表者名
      Kazuma Suzuki
    • 雑誌名

      Material Transactions

      巻: 54 ページ: 未定

    • 査読あり
  • [学会発表] Influence of Oxygen on the Hardness and Electrical Resistivity of Cr(N,O) Thin Films2013

    • 著者名/発表者名
      Aoi Sato
    • 学会等名
      37th International Conference and Expo on Advanced Ceramics and Composites
    • 発表場所
      Daytona, USA
    • 年月日
      20130127-20130201
  • [学会発表] Preparation of Epitaxially Grown Cr-Si-N Thin Films by Pulsed Laser Deposition2013

    • 著者名/発表者名
      Toshiyuki Endo
    • 学会等名
      37th International Conference and Expo on Advanced Ceramics and Composites
    • 発表場所
      Daytona, USA
    • 年月日
      20130127-20130201
  • [学会発表] PLD 法により作製したエピタキシャルCr(N,O)薄膜の大気下における酸化挙動

    • 著者名/発表者名
      鈴木知真
    • 学会等名
      日本金属学会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
  • [学会発表] CrNへのO,Mgの同時添加による硬度および電気伝導性の評価

    • 著者名/発表者名
      佐藤蒼生
    • 学会等名
      日本金属学会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
  • [学会発表] エピタキシャルCr(N,O)薄膜の基板拘束による酸素含有量変化

    • 著者名/発表者名
      鈴木知真
    • 学会等名
      日本金属学会
    • 発表場所
      東京理科大学(東京都)
  • [学会発表] CrN系化合物における高硬度化および高電気伝導化

    • 著者名/発表者名
      佐藤蒼生
    • 学会等名
      日本金属学会
    • 発表場所
      東京理科大学(東京都)
  • [学会発表] パルスレーザー堆積法によりSiを強制固溶させたCr-Si-N薄膜の作製と硬度評

    • 著者名/発表者名
      遠藤稔之
    • 学会等名
      日本金属学会
    • 発表場所
      東京理科大学(東京都)

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公開日: 2014-07-24  

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