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Silicon On Insulator(SOI)技術を用いた半導体放射線位置検出器の様々な放射線試験を遂行した。2010年にX線を様々なSOI MOSFETへの照射実験を行い、埋め込み酸化膜直下に配したBPW(Buried P-Well)が放射線耐性を向上させることを発見した。同年に東北大電子光理学研究センターの陽電子ビームを用い、SOI検出器3層による飛跡再構成試験を実施しSOI検出器初の飛跡再構成に成功した。2011年には欧州原子核研究機構(CERN)において120GeVハドロンビームを用い、SOI検出器4層による飛跡再構成試験を実施し、固有位置分解能、検出効率などの素子としての評価を実施することができた。
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