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光電子回折分光法は、光電子やAuger電子の元素選択性と構造特有の回折模様によるサイト選択性による原子構造と局所電子状態の非破壊的解析を可能にする。本研究では、表面の複数種ある原子サイトからの光電子パターンを数学的に分離する方法を考案し、原子層ごとに分離した光電子パターンでSiC(0001)表面上のグラフェン層やその下の界面層の構造を解析、原子サイトごとの価電子帯電子状態密度を算出する手法を開発し、InPおよびInSb(001)表面について適応、光電子パターンの定量評価で重要なバックグラウンドについて詳細に研究し、二次電子が再度結晶格子の原子に吸収されて現れる「ネガパターン」の観測と発生機構について解明した。
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