研究課題
若手研究(B)
本研究では、原子層レベル(サブナノメートルオーダ)の分解能を有する深さ分解X 線磁気円二色性(XMCD)分光法を用いて単層グラフェンとNi(111)薄膜界面のスピン状態について分光解析を行った。Ni L 端励起XMCD 測定からは、バルク領域のNi 原子層が面内方向に磁気異方性を示す一方で、グラフェン/Ni 界面近傍のNi 原子層では面直方向に磁気異方性を変化させていることが明らかとなった。炭素K 端励起XMCD 測定からは、界面Ni の磁化状態に応する形で、グラフェンのpバンド領域に面直方向のスピン偏極が誘起されると同時に、p-d 混成軌道形成によりグラフェンのスピン-軌道相互作用が大きく増大していることが明らかとなった。本研究成果はグラフェンをベースとするスピントロニクスにおいて原子層レベルでの界面デザインの重要性示すものである。
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