研究課題
若手研究(B)
本研究では(1)π電子系の広い縮合環(ヘテロアレーン)を主鎖に導入することや、(2)ドナー・アクセプター(D-A)型構造の導入によって、高結晶性ポリマーの創製を目指した(1)としてナフトジチオフェン(NDT)(2)として、ベンゾビスチアゾール(BBTz)やナフトビスチアジアゾール(NTz)の電子欠損性(アクセプター)ユニットや、"分子内D-A"構造を持つ顔料骨格であるキナクリドンを有するポリマーを合成した。これらのポリマーは、πスタック距離が3. 5. 3. 6Aと小さく、結晶性の高い構造を形成することが分かり、キャリア移動度は0. 3. 0. 8cm2/ Vsと半導体ポリマーとしては非常に高い値を示した。このように提案したアプローチにより、高結晶性かつ高移動度の半導体ポリマーの創出が可能であることを実証した。
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