垂直磁化型の半導体への高スピン偏極電流注入源の理論設計を目的として、Fe/GaAs(001)界面における結晶磁気異方性エネルギー(MAE)の第一原理計算を行った。多層膜構造のFe(13層)/GaAsのMAEは、As終端界面で0. 898[mJ/m^2] 、Ga終端界面で0. 469[mJ/m^2] となり、どちらも垂直磁気異方性が得られた。しかしFe13層の磁化の反磁界エネルギーは約2[mJ/m^2] とMAEよりも大きいため、実際に垂直磁化膜を得るためにはFe層を1nm以下まで薄くする必要がある。
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