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2011 年度 研究成果報告書

III族窒化物両極性同時成長プロセスの開発とナノ構造デバイス作

研究課題

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研究課題/領域番号 22760006
研究種目

若手研究(B)

配分区分補助金
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関静岡大学

研究代表者

中野 貴之  静岡大学, 工学部, 助教 (00435827)

研究期間 (年度) 2010 – 2011
キーワードエピタキシャル成長 / 極性構造 / GaN / ナノ構造
研究概要

本研究はワイドギャップ半導体材料である窒化ガリウム(GaN)の結晶構造における非対称性に着目し、結晶構造の裏表となる極性を制御する手法の開発に取り組んだ。結晶成長における再表面の状態が重要であることから、結晶成長最表面の処理方法を検討することにより、任意の選択領域に異なる極性面を成長する方法を開発した。更に、成長途中においてMg原子を表面吸着させることによって極性が入れ替わる現象についても詳細な検討を行い、Mg偏析層が極性反転の起因となっていることを明らかにした。これらの研究成果により、GaNを用いた三次元構造デバイスの作製が期待でき、新しい機能デバイスの可能性が示唆された。

  • 研究成果

    (9件)

すべて 2011 2010

すべて 学会発表 (9件)

  • [学会発表] Development of Ga Npolarity inversion epitaxial growth by using Mg doping GaN MOVPE2011

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Nakano
    • 学会等名
      12th International Young Scientists Conference"Optics & High Technology Material Science. SPO 2011"
    • 発表場所
      Taras Shevchenko National University, Kyiv, Ukraine
    • 年月日
      2011-10-29
  • [学会発表] Development of Ga Ninversion epitaxial growth by using Mg doping GaN MOVPE2011

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Nakano
    • 学会等名
      10th International Conference on Global Research and education(inter-academia2011, iA2011)
    • 発表場所
      Popas Turistic Bucovina, Sucevita, Romania
    • 年月日
      2011-09-28
  • [学会発表] GaN極性反転結晶成長におけるMg表面偏析効果の解明2011

    • 著者名/発表者名
      舘毅
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学,山形
    • 年月日
      2011-08-31
  • [学会発表] Development and analysis of polarity inversion GaN MOVPE by using Mg-doping2011

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Nakano
    • 学会等名
      9th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-9)
    • 発表場所
      SECC, Glasgow, Scotland
    • 年月日
      2011-07-12
  • [学会発表] MgドープGaN極性反転結晶における極性成長メカニズムの解明2011

    • 著者名/発表者名
      舘毅
    • 学会等名
      第3回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      九州大学筑紫キャンパス,博多
    • 年月日
      2011-06-18
  • [学会発表] The research of the crystal growth technology which controlled the polarity of GaN2010

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Nakano
    • 学会等名
      UK-Japan Workshop on Photonics and Bio-Medical Engineering
    • 発表場所
      Aston University, Birmingham, UK
    • 年月日
      20101215-17
  • [学会発表] Fabrication of Polarity Inversion of GaN by using Mg-doping in MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      Tsuyoshi Tachi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors 2010(IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • 年月日
      2010-09-21
  • [学会発表] MOVPE法を用いた高MgドープによるGaN極性反転構造の作製2010

    • 著者名/発表者名
      舘毅
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学、長崎
    • 年月日
      2010-09-16
  • [学会発表] Fabrication of polarity inversion structure of GaN by using Mg-dope in MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      Tsuyoshi Tachi
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium(EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺、伊豆の国
    • 年月日
      2010-07-15

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公開日: 2013-07-31  

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