研究課題
若手研究(B)
強相関電子系物質の実用化に向けて、バナジウム酸化物を用いた強相関ヘテロ接合を作製した。二酸化バナジウムの最大の特徴である金属-絶縁体転移は、ヘテロ界面近傍においても発現することを見出した。ヘテロ界面における二酸化バナジウムの仕事関数を電子および正孔ドープによって連続的に制御できることを明らかとした。さらに、金属-絶縁体転移を電界・光・圧力などの外場により制御可能であることを実証した。
すべて 2012 2011 2010
すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (21件) 産業財産権 (2件)
Phys. Rev. B
巻: 85 ページ: 155110
巻: 84 ページ: 195132
巻: 84 ページ: 165108
巻: 82 ページ: 205118