研究課題
若手研究(B)
スパッタおよび50eVイオン照射を用い、厚さ3nmの均一金属膜を作製した。その後、ERDAの手法を用いCMOS用の汎用Si基板にHが含まれることを見いだし、従来のNBTI理論に関する1つの仮説を実験証明ができた。また、260℃以上の設定温度で、HがSi基板外に拡散することを観測し、拡散律速論と呼ばれるモデルがNBTIに適用できることを証明した。この結果を受け、CMOSの製造パラメータを最適化するモデルの構築が可能になると考えられる。
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Japanese Journal of Applied Physics
巻: 50巻 ページ: 01BE08-1-01BE08-4
Materials Science and Engineering B
巻: 175巻 ページ: 223-228
