(110)上の選択成長を利用した平面型並列ナノワイヤ電界効果トランジスタ

2011 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 22760228
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 北陸先端科学技術大学院大学
• 研究代表者: 赤堀 誠志 北陸先端科学技術大学院大学, ナノマテリアルテクノロジーセンター, 助教 (50345667)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2011
• キーワード: 選択成長 / (110) / InAs / ナノワイヤ / 電界効果トランジスタ

研究概要

分子線エピタキシーを用いたGaAs(110)マスク基板上のInAs選択成長について、適切な選択成長条件を得て、面内へのInAsナノワイヤ形成を可能にした。さらにプレーナー型リソグラフィーを利用した平面型並列ナノワイヤ電界効果トランジスタの試作を行った。試作素子の室温における出力・伝達特性や極低温における磁気伝導度等を評価し、2. 3A/mm・4. 9mS/mmの最大電流・相互コンダクタンスやスピン軌道結合の存在等を確認した。

研究成果

• [雑誌論文] Selective area molecular beam epitaxy of InAs on GaAs(110) masked substrates for direct fabrication of planar nanowire field-effect transistors (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Akabori, T. Murakami, and S. Yamada
  • 雑誌名: J. Crystal Growth 巻: Vol.345 ページ: 22-26
  • 査読あり
• [学会発表] Magneto-transport properties of InAs nanowires laterally-grown by selective area molecular beam epitaxy on GaAs(110) masked substrates (2012)
  • 著者名/発表者名: M. Akabori, and S. Yamada
  • 学会等名: 31st International Conference on Semiconductor Physics
  • 発表場所: Zulich, Switzerland
  • 年月日: 20120729-0803
• [学会発表] 領域選択分子線エピタキシーによるGaAs(001),(111) Bおよび(110)マスク基板上へのInAsナノワイヤ形成 (2011)
  • 著者名/発表者名: 赤堀誠志、村上達也、山田省二
  • 学会等名: 第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形県山形市
  • 年月日: 20110829-0902
• [学会発表] Selective Area Molecular Beam Epitaxy of InAs Nanowires on Various Oriented GaAs Substrates (2011)
  • 著者名/発表者名: M. Akabori, T. Murakami, and S. Yamada
  • 学会等名: The 15th International Conference on Modulated Semiconductor Structures
  • 発表場所: Tallahassee, FL, US
  • 年月日: 20110725-30