電子セラミックス薄膜の自己組織化ナノ結晶成長とリコンフィギュラブルRF素子応用

2011 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 22760230
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 奈良先端科学技術大学院大学
• 研究代表者: 西田 貴司 奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成研究科, 助教 (80314540)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2011
• キーワード: 自己組織化 / ナノテクノロジ / 強誘電体 / 薄膜 / スパッタ法 / 原子平坦基板 / PbTiO3 / セラミックス

研究概要

近年、電子セラミックス材料は薄膜化が研究され、半導体回路との一体化や微細加工により、高性能、小型化、省資源などを目指した素子への応用が期待されている。今後は高品質化、特に微細化がさらに進み、ナノサイズの超高集積化も視野に入りつつある。個の研究では材料の精密なナノサイズ化に取り組み、原子レベル平坦基板と成膜手法の工夫(低角入射スパッタ)により、自己組織的なナノサイズ結晶を均質、等間隔で基板上に配列させることができた。さらに、微細加工や非線形性測定による解析を実施することによって、リコンフィギュラブル素子の低電圧化や新しい周波数変換素子が可能であることが示された。

研究成果

• [雑誌論文] Crystallization using biomineralized nickel nanodots of amorphous silicon thick films deposited by chemical vapor deposition, sputtering and electron beam evaporation (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Nishida, K. Fuse, M. Furuta, Y. Ishikawa, Y. Uraoka
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: Vol.51 No.3 ページ: 03CA01-1-03CA01-5
  • 査読あり
• [雑誌論文] Low-operating-voltage solution-processed InZnO thin-film transistors using high-k SrTa2O6 (2012)
  • 著者名/発表者名: L. Lu, Y. Miura, T. Nishida, M. Echizen, Y. Ishikawa, K. Uchiyama, Y. Uraoka
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: Vol.51 No.3 ページ: 03CB05-1-03CB05-5
  • 査読あり
• [雑誌論文] Capacitance-voltage and leakage-current characteristics of sol-gel-derived crystalline and amorphous SrTa2O6 thin films (2012)
  • 著者名/発表者名: L. Lu, T. Nishida, M. Echizen, K. Uchiyama, Y. Uraoka
  • 雑誌名: Thin Solid Films 巻: Vol.520 No.9 ページ: 3620-3623
  • 査読あり
• [雑誌論文] Interface effect of high-k SrTa2O6/gate electrode on the characteristics of solution processed InZn4Ox thin-film transistors (2011)
  • 著者名/発表者名: L. Lu, T. Nishida, M. Echizen, Y. Ishikawa, K. Uchiyama, Y. Uraoka
  • 雑誌名: The proceedings of AM-FPD 巻: 11 ページ: 145-147
• [雑誌論文] Crystallizationusing biominerallized Ni nanodots of amorphous Si thick films prepared by CVD and sputtering deposition (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Nishida, K. Fuse, M. Furuta, Y. Ishikawa, Y. Uraoka
  • 雑誌名: The proceedings of AM-FPD 巻: 11 ページ: 129-132
• [雑誌論文] Characteristics of solution-processed TFTs with In4ZnOx/SrTa206 thin films (2011)
  • 著者名/発表者名: L. Lu, T. Nishida, M. Echizen, Y. Ishikawa, K. Uchiyama, Y. Uraoka
  • 雑誌名: Proceeding of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai ページ: 120-121
• [雑誌論文] Fabrication of PbTiO3 and Pt self-organized nanocrystal array structure on atomically flat sapphire (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Nishida, K. Asahi, Y. Miura, L. Lu, M. Echizen, Y. Yoneda, H. Kimura, Y. Ishikawa, Y. Uraoka
  • 雑誌名: Proceeding of the 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai ページ: 106-107
• [雑誌論文] Fabrication of atomically flat Pt layer on sapphire substrate by low angle incidence sputtering method (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Nishida, K. Asahi, Y. Yoneda, K. Tamura, D. Matsumura, H. Kimura, Y. Ishikawa, Y. Uraoka
  • 雑誌名: Trans. Mater. Res. Soc. of Japan 巻: Vol.36 ページ: 11-13
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electrical properties of Ba0. 5Sr0. 5Ta2O6 thin film fabricated by Sol-Gel method (2010)
  • 著者名/発表者名: L. Lu, M. Echizen, T. Nishida, K. Uchiyama, Y. Uraoka
  • 雑誌名: IEICE Transactions on Electronics 巻: Vol.E93-C ページ: 1511-1515
• [雑誌論文] Annealing and composition effects of(BaxSr1-x) Ta2O6 thin films fabricated by sol-gel method (2010)
  • 著者名/発表者名: L. Lu, T. Nishida, M. Echizen, K. Uchiyama, Y. Uraoka
  • 雑誌名: JJAP 巻: Vol.49 ページ: 09MA14-1-4
  • 査読あり
• [学会発表] 鉛圧電体の欠陥と非鉛圧電体の展望 (2012)
  • 著者名/発表者名: 西田貴司
  • 学会等名: 日本電子材料技術協会第90回金属材料研究会
  • 発表場所: 東京
  • 年月日: 2012-03-14
• [学会発表] (Ba, Sr) TaxOyおよび(Ba, Sr) TixOy薄膜の電圧線形性 (2011)
  • 著者名/発表者名: 西田貴司, 呂莉, 越前正洋, 内山潔, 木村秀夫, 石河泰明, 浦岡行治
  • 学会等名: 第21回日本MRS学術シンポジウム
  • 発表場所: 横浜
  • 年月日: 2011-12-20
• [学会発表] 強誘電体ナノ結晶評価のためのサファイア上へのPt原子レベル平坦層の形成(II) (2011)
  • 著者名/発表者名: 西田貴司, 旭健史郎, 米田安宏, 田村和久, 松村大樹, 木村秀夫, 石河泰明, 浦岡行治
  • 学会等名: 2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 山形
  • 年月日: 2011-09-01
• [学会発表] Fabrication of PbTiO3 and Pt self-organized nanocrystal array structure for high density ferroelectric memories (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Nishida, M. Echizen, L. Lu, K. Asahi, Y. Yoneda, H. Kimura, Y. Ishikawa, Y. Uraoka
  • 学会等名: International Symposium on Integrated Functionalities(ISIF 2011)
  • 発表場所: England
  • 年月日: 2011-08-02
• [学会発表] Fabrication of PbTiO3 and Pt self-organized nanocrystal array structure on atomically flat sapphire (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Nishida, K. Asahi, Y. Miura, L. Lu, M. Echizen, Y. Yoneda, H. Kimura, Y. Ishikawa, Y. Uraoka
  • 学会等名: The 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
  • 発表場所: 大阪
  • 年月日: 2011-05-19
• [備考] ホームページアドレス
  • URL: http://e-m.skr.jp/