ミストの特性を利用した応用技術の開発I-電子デバイス作製技術の為のミスト法-

2011 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 22760232
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 高知工科大学
• 研究代表者: 川原村 敏幸 高知工科大学, ナノテクノロジー研究所, 講師 (00512021)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2011
• キーワード: 電気・電子材料 / ミスト / 薄膜 / 成長 / 加工 / 電子デバイス

研究概要

ミスト法に関するメカニズムや挙動を明確にすることに成功し、様々な実験を加速できた。更に、ミストCVD法を用いて酸化物TFTの本質的な非真空化へのアプローチに成功し、ミストCVD法の電子デバイス作製技術への応用展開を進められた。

研究成果

• [雑誌論文] Development and Research on the Mechanism of Novel Mist Etching Method for Oxide Thin Films (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Kawaharamura and T. Hirao
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: Vol.51 ページ: 036503
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.51.036503
• [雑誌論文] Successful growth of conductive highly-crystalline Sn-dopedα-Ga2O3 thin films by fine channel mist chemical vapor deposition (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Kawaharamura, Giang T. Dang, and M. Furuta
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: Vol.51 ページ: 040207
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.51.040207
• [雑誌論文] Influence of annealing under reducing ambient on properties of ZnO thin films prepared by mist CVD (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Kawaharamura, H. Orita, T. Shirahata, A Yoshida, S. Fujita, and T. Hirao
  • 雑誌名: Physica Status Solidi(c) 巻: Vol.9 ページ: 190-193
  • DOI: DOI:10.1002/pssc.201100281
• [学会発表] ミストCVD法によるIGZO TFTの作製 (2012)
  • 著者名/発表者名: 川原村敏幸, 王大鵬, 古田守
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] 誘電泳動法による半導体CNT薄膜トランジスタの作製 (2012)
  • 著者名/発表者名: 戸田達也, 古沢浩, 古田守, 川原村敏幸
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
  • 年月日: 2012-03-17
• [学会発表] Green processes of ZnO transparent conducting thin films with mist CVD (2011)
  • 著者名/発表者名: Toshiyuki Kawaharamura, Hiroyuki Orita, Takahiro Shirahata, Takashi Hirao, Shizuo Fujita
  • 学会等名: 2011 MRS Fall Meeting & Exhibit
  • 発表場所: Hynes Convention Center, Boston, MA, USA
  • 年月日: 20111128-1202
• [学会発表] ミストCVD法によるIGZO TFTの作製 (2011)
  • 著者名/発表者名: 川原村敏幸, 王大鵬, 登太江, 古田守
  • 学会等名: 薄膜材料デバイス研究会第8回研究集会
  • 発表場所: 龍谷大学アバンティ響都ホール & マリアージュ・グランデ
  • 年月日: 20111104-05
• [学会発表] Study on the behavior of mist droplets and the mechanism in the mist Chemical Vapor Deposition (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Kawaharamura, S. Fujita, and T. Hirao
  • 学会等名: 15th Intl. Conference on II-VI Compounds-II-VI 2011
  • 発表場所: Mayan Riviera, Mexico
  • 年月日: 20110821-26
• [学会発表] ミストデポジション法による酸化マグネシウム(MgO)薄膜作製～大気圧下、低温成長への挑戦～ (2011)
  • 著者名/発表者名: 川原村敏幸, 織田容征, 白幡孝洋, 井川拓人, 伊藤大師, 吉田章男, 藤田静雄, 平尾孝
  • 学会等名: 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会
  • 年月日: 20110128-29
• [学会発表] A Novel Solution-based Vapor-etching Technique : Mist-etching (2010)
  • 著者名/発表者名: 川原村敏幸(Toshiyuki Kawaharamura)、平尾孝(Takashi Hirao)
  • 学会等名: 2010 MRS Fall Meeting & Exhibit
  • 発表場所: Hynes Convention Center, Boston, MA, USA
  • 年月日: 20101128-1203
• [学会発表] ミスト法における局所反応場でのミスト液滴の挙動 (2010)
  • 著者名/発表者名: 川原村敏幸, 平尾孝
  • 学会等名: 第71回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 長崎大
  • 年月日: 20100914-17
• [備考] 受賞等(1)第8回薄膜材料デバイス研究会ベストペーパーアワード平成23年11月5日
• [備考] (2)第7回薄膜材料デバイス研究会ベストペーパーアワード平成22年11月6日
• [備考] 展示・出展(1)イノベーション・ジャパン2011_大学見本市,(東京国際フォーラム,東京,日本, 2011年9月21-22日), M-37
• [備考] (2)第5回国際先端表面技術展・会議-ASTEC 2011(東京ビックサイト東6ホール & 会議場,東京,日本, 2011年2月16-18日), I-07
• [備考] 本人ホームページ
  • URL: http://www.nano.kochi-tech.ac.jp/tosiyuki/index.html
• [備考] 本人博士論文
  • URL: http://repository.kulib.kyoto-u.ac.jp/dspace/handle/2433/57270
• [備考] 本人通年成果一覧
  • URL: http://www.kochi-tech.ac.jp/kut_J/university/pdf/prof/kawaharamura-toshiyuki.pdf
• [産業財産権] ドーパントを添加した結晶性の高い導電性α型酸化ガリウム薄膜およびその生成方法 (2011)
  • 発明者名: 川原村敏幸
  • 権利者名: 高知工科大学
  • 産業財産権番号: 特許、特願2011-164748
  • 出願年月日: 2011-07-27
• [産業財産権] 酸化マグネシウム(M g O)絶縁膜の成膜方法、酸化マグネシウム絶縁膜および酸化マブネシウム絶縁膜の成膜装置 (2011)
  • 発明者名: 白幡孝洋,織田容征,吉田章男,平尾孝,川原村敏幸
  • 権利者名: 高知工科大学,東芝三菱電機産業システム株式会社
  • 産業財産権番号: 特許、特願2011-008549
  • 出願年月日: 2011-01-17