金属/半導体界面の終端効果とバンドアライメントの決定機構に関する研究

2011 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 22760244
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 補助金
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 西村 知紀 東京大学, 大学院・工学系研究科, 技術専門職員 (10396781)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2011
• キーワード: 電子デバイス・集積回路 / フェルミレベルピンニング

研究概要

価電子帯端に強いフェルミレベルピンニング(FLP)を生じる金属/ゲルマニウム(Ge)界面においても、Geの結合する(非金属)元素や界面近傍のGeの構造の変調が大幅にピンニング準位をシフトさせた。このことは界面及び界面近傍のGe原子の結合構造がピンニング準位と相関していることを示している。一方界面への極薄絶縁膜の挿入は膜種によって大幅に異なる緩和の挙動を示しており、金属/Ge界面のFLPの強さの起源は単純な界面準位もしくは金属からの波動関数の染み出しによる描像では難しく、より複合的な効果を考える必要があることを示している。

研究成果

• [雑誌論文] High-Electron-Mobility Gen-Channel Meta-Oxide-Semiconductor Field Effect Transisitors with High-Pressure Oxidized Y2O3 (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura, C. H. Lee, T. Tabata, S. K. Wang, K. Nagashio, K. Kita, and A. Toriumi
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 巻: Vol.6 ページ: 064201-1-3
  • DOI: DOI:10.1143/APEX.4.064201
  • 査読あり
• [学会発表] 金属/Ge界面に導入した酸化膜と硫化膜がFermi-level pinningに与える影響の比較 (2011)
  • 著者名/発表者名: 西村知紀,李忠賢,長汐晃輔,喜多浩之,鳥海明
  • 学会等名: 2011年春季第58回応用物理学関係
  • 年月日: 20110300
• [学会発表] MIGS-metal layer formation model at metal/Ge Schottky barrier diode interface (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura and A. Toriumi
  • 学会等名: 2011 IEEE 42nd Semiconductor Interface Specialists Conference(SISC)
  • 発表場所: Arlington
  • 年月日: 2011-12-02
• [学会発表] A Study of Fermi-level Pinning in Ge Schottky and MIS Tunnel Junctions (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura, K. Nagashio, K. Kita and A. Toriumi
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM)
  • 発表場所: Nagoya
  • 年月日: 2011-09-29
• [学会発表] High-k/GeMOSFETにおける移動度特性の向上 (2011)
  • 著者名/発表者名: 西村知紀,李忠賢,王盛凱,田畑俊行,長汐晃輔,喜多浩之,鳥海明
  • 学会等名: 第16回ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-
  • 発表場所: Tokyo
  • 年月日: 2011-01-27
• [学会発表] Electoron Mobility in High-k Ge MISFETs Goes up to Higher (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura, C. H. Lee, S. K. Wang, T. Tabata, K. Kita, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2010 Symposiaon VLSI Technology and
  • 発表場所: Honolulu
  • 年月日: 2010-06-17
• [学会発表] Long Range Pinning Interaction in Ultra-thin Insulator-inserted Metal/Germanium Junctions (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Nishimura, K. Kita, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 学会等名: 2010 Silicon Nanoelectronics Workshop
  • 発表場所: Honolulu
  • 年月日: 2010-06-13
• [備考]
  • URL: http://www.adam.t.u-tokyo.ac.jp