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2011 年度 実績報告書

3次元集積構造によりビーム制御機能を有する共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器

研究課題

研究課題/領域番号 22760247
研究機関東京工業大学

研究代表者

鈴木 左文  東京工業大学, 大学院・総合理工学研究科, 助教 (40550471)

キーワードテラヘルツ / 超高速デバイス / 量子エレクトロニクス
研究概要

現状の共鳴トンネルダイオード(RTD)を用いたテラヘルツ発振器は、シリコンレンズを介した出力取り出しにより、指向性の劣化とレンズ表面での出力反射などが起こるため、発振出力を有効に利用出来ていない。そのため、3次元的に集積したアンテナ構造により放射ビームの制御を狙い研究を行った。
ビーム制御のための3次元的な構造を持つRTD発振素子として、発振素子真下のInP基板の薄膜化と、3次元的にマイクロサイズの八木アンテナを集積することによる指向性の向上を提案した。八木アンテナを形成するアレイエレメントを低誘電体(MEMS用レジストSU-8)の積層により3次元的にスロットアンテナの直上に集積し、積層誘電体と同程度の誘電率を持つホワイトポリエチレン(HDPE)を支持基板として貼り付ける様な現実的な構造を設計した。この構造に関して、誘電体の誘電損を含んだ放射パターンのシミュレーションを行ったところ、アレイエレメントを3つ配置したときに放射電界がアレイエレメントのある方向に良く集中し、最適なHDPEの厚さの時、指向性は突端で11dBi得られることが分かった。また、誘電体はそれほど厚くないため、それによる損失は1割程度と小さい事が分かった。従来のシリコンレンズを介して出力を取り出す方法では、レンズ表面での反射等によって全出力の1/10程度しか有効に利用することが出来なかったが、この方法を用いることによって、5割以上の出力が良い指向性で取り出せることを見出した。
素子の作製プロセスの開発では、剥離が酷く積層が難しい感光性BCBからSU-8への誘電体の切り替えを行った。それに伴い、SU-8の積層時やダイシングによる素子分離におけるSU-8の剥離を防ぐための露光現像の温度条件の実験的算出、および、ダイシングの刃が当たる部分のSU-8部分除去など作製プロセスの確立を行った。

  • 研究成果

    (29件)

すべて 2012 2011 その他

すべて 雑誌論文 (8件) (うち査読あり 6件) 学会発表 (20件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Estimation of Transit time in Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diodes with Graded Emitter and Thin Barriers2012

    • 著者名/発表者名
      A.Teranishi, S.Suzuki, K.Shizuno, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
    • 雑誌名

      Trans.Electron.IEICE of Japan

      巻: vol.E95-C ページ: 401-407

    • DOI

      DOI:10.1587/transele.E95.C.401

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fundamental Oscillation up to 1.08 THz in Resonant Tunneling Diodes with High-Indium Composition Transit Layers for Reduction of Transit Delay2012

    • 著者名/発表者名
      A.Teranishi, K.Shizuno, S.Suzuki, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
    • 雑誌名

      IEICE Electron.Express

      巻: vol.9 ページ: 385-390

    • DOI

      DOI:10.1587/elex.9.385

    • 査読あり
  • [雑誌論文] High Output Power (~400μW) Oscillators at around 550GHZ Using Resonant Tunneling Diodes with Graded Emitter and Thin Barriers2011

    • 著者名/発表者名
      M.Shiraishi, H.Shibayama, K.Ishigaki, S.Suzuki, M.Asada, H.Sugiyama, H.Yokoyama
    • 雑誌名

      Appl.Phys Express

      巻: vol.4 ページ: 064101

    • DOI

      DOI:10.1143/APEX.4.064101

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Terahertz Oscillators Using Electron Devices-an Approach with Resonant Txinneling Diodes2011

    • 著者名/発表者名
      M.Asada, S.Suzuki
    • 雑誌名

      IEICE Electron.Express

      巻: vol.8 ページ: 1110-1126

    • DOI

      DOI:10.1587/elex.8.1110

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Heterodyne Mixing of Sub-Terahertz Output Power from Two Resonant Tunneling Diodes Using InP Schottky BarrierDiode2011

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki, K.Karashima, K.Ishigaki, M.Asada
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys.

      巻: vol.50 ページ: 080211

    • DOI

      DOI:10.1143/JJAP.50.080211

    • 査読あり
  • [雑誌論文] High Uniformity InP-Based Resonant Tunneling Diode Wafers with Peak Current Density of over 6×10^5 A/cm^2 Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      H.Sugiyama, A.Teranishi, S.Suzuki, M.Asada
    • 雑誌名

      J.Crystal Growth

      巻: vol.336 ページ: 24-28

    • DOI

      DOI:10.1016/j.jcrysgro.2011.09.010

    • 査読あり
  • [雑誌論文] 電子デバイスによるテラヘルツ光源2011

    • 著者名/発表者名
      浅田雅洋、鈴木左文
    • 雑誌名

      電気学会論文誌A(基礎・材料共通)

      巻: vol.131-A ページ: 21-25

  • [雑誌論文] 高精度結晶成長技術による共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器の実現2011

    • 著者名/発表者名
      杉山弘樹, 鈴木左文, 浅田雅洋
    • 雑誌名

      NTT技術ジャーナル

      巻: vol.23 ページ: 12-17

  • [学会発表] 狭井戸共鳴トンネルダイオードによるテラヘルツ発振素子の高出力化2012

    • 著者名/発表者名
      金谷英敏
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2012-03-17
  • [学会発表] ボウタイアンテナ集積型Ni-InP SBDのカットオフ周波数向上と感度測定2012

    • 著者名/発表者名
      丸山薫
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2012-03-17
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオードによる室温テラヘルツ光源2012

    • 著者名/発表者名
      鈴木左文
    • 学会等名
      電気学会パワー半導体光源とその応用技術調査専門委員会
    • 発表場所
      東京(招待講演)
    • 年月日
      2012-02-20
  • [学会発表] THz Oscillation of Resonant Tunneling Diode and Its Basic Properties for Wireless Transmission2012

    • 著者名/発表者名
      浅田雅洋
    • 学会等名
      テラヘルツ応用システム研究会
    • 発表場所
      東京(招待講演)
    • 年月日
      2012-02-10
  • [学会発表] Room-Temperature Terahertz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes and Preliminary Experiments on Wireless Communication Application2011

    • 著者名/発表者名
      M.Asada
    • 学会等名
      Japan-Korea Joint Workshop
    • 発表場所
      Nagoya(招待講演)
    • 年月日
      2011-12-19
  • [学会発表] THz Oscillating Resonant Tunneling Diode and Its Basic Properties for Wireless Communications2011

    • 著者名/発表者名
      M.Asada
    • 学会等名
      Terahertz Nano-Science & Workshop on Int.Terahertz Research Network
    • 発表場所
      Osaka(招待講演)
    • 年月日
      2011-11-28
  • [学会発表] Wireless Data Transmission at ~560 GHz with Direct Modulation of RTD Oscillator2011

    • 著者名/発表者名
      K.Ishigaki
    • 学会等名
      Terahertz Nano-Science & Workshop on Int.Terahertz Research Network
    • 発表場所
      Osaka
    • 年月日
      2011-11-28
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオードの基本波1THz室温発振2011

    • 著者名/発表者名
      浅田雅洋
    • 学会等名
      第2回集積光デバイスと応用技術時限研究専門委員会(IPDA)研究会
    • 発表場所
      東京(招待講演)
    • 年月日
      2011-11-16
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオードによる室温テラヘルツ光源2011

    • 著者名/発表者名
      浅田雅洋
    • 学会等名
      学術振興会第182委員会第11回研究会
    • 発表場所
      浜松(招待講演)
    • 年月日
      2011-10-24
  • [学会発表] Intensity Modulation of Sub-Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diode by Irradiation of 1.55-μm Laser2011

    • 著者名/発表者名
      S.Kaburaki
    • 学会等名
      IEEE Photonics Conference (IPC 11)
    • 発表場所
      Arlington/VA, USA
    • 年月日
      2011-10-13
  • [学会発表] Direct Modulation of THz-Oscillating Resonant Tunneling Diodes2011

    • 著者名/発表者名
      K.Ishigaki
    • 学会等名
      Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2011)
    • 発表場所
      Huston, USA
    • 年月日
      2011-10-05
  • [学会発表] Dependence of Output Power on Slot Antenna Width in Terahertz Oscillating Resonant Tunneling Diodes2011

    • 著者名/発表者名
      H.Shibayama
    • 学会等名
      Infrared and Millimeter Waves & Terahertz Electronics (IRMMW-THz 2011)
    • 発表場所
      Huston, USA
    • 年月日
      2011-10-05
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振器における発振出力のアンテナ幅依存性2011

    • 著者名/発表者名
      柴山裕孝
    • 学会等名
      第72回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形
    • 年月日
      2011-08-31
  • [学会発表] 共鳴トンネルダイオード発振素子の直接出力変調と変調周波数上限の外部回路依存性2011

    • 著者名/発表者名
      石垣要
    • 学会等名
      第72回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形
    • 年月日
      2011-08-31
  • [学会発表] 1.55μmレーザ光照射による共鳴トンネルダイオードサブテラヘルツ発振器の出力強度変調2011

    • 著者名/発表者名
      鏑木新治
    • 学会等名
      第72回秋季応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形
    • 年月日
      2011-08-31
  • [学会発表] Terahertz Oscillation of InGaAs/AlAs Resonant Tunneling Diodes at Room Temperature2011

    • 著者名/発表者名
      S.Suzuki
    • 学会等名
      Topical Workshop on Heterostructure Materials (TWHM)
    • 発表場所
      Gifu, Japan(招待講演)
    • 年月日
      2011-08-30
  • [学会発表] Terahertz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes at Room Temperature2011

    • 著者名/発表者名
      M.Asada
    • 学会等名
      Opto-electronics and Nanostructures (EDISON 17)
    • 発表場所
      Santa Barbara, USA(招待講演)
    • 年月日
      2011-08-11
  • [学会発表] Room-Temperature THz Oscillation of Resonant Tunneling Diodes2011

    • 著者名/発表者名
      M.Asada
    • 学会等名
      Microwave/Terahertz Science and Applications (MTSA 2011)
    • 発表場所
      Nanjing, China(招待講演)
    • 年月日
      2011-06-21
  • [学会発表] High Output Power (~400μW) Oscillators at Around 550 GHz Using Large Area RTD and Optimized Antenna Structure2011

    • 著者名/発表者名
      M.Shiraishi
    • 学会等名
      Indium Phosphide & Related Materials (IPRM 2011)
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 年月日
      2011-05-24
  • [学会発表] Fundamental Oscillation up to 1.08 THz in Resonant Tunneling Diodes with High Indium Composition Transit Layers2011

    • 著者名/発表者名
      A.Teranishi
    • 学会等名
      Indium Phosphide & Related Materials (IPRM 2011)
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 年月日
      2011-05-24
  • [備考]

    • URL

      http://www.pe.titech.ac.jp/AsadaLab/Asada_Lab.html

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公開日: 2013-06-26  

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