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2011 年度 実績報告書

ヘルスケア用免疫センサーの開発

研究課題

研究課題/領域番号 22760306
研究機関大阪工業大学

研究代表者

小池 一歩  大阪工業大学, 工学部, 准教授 (40351457)

キーワード酸化亜鉛 / 溶液ゲートトランジスター / スパッタ成長 / pHセンサー / シランカップリング / アミノシラン分子 / 免疫グロブリン / バイオセンサー
研究概要

本研究では,ガラス基板に生体適合性の高い酸化亜鉛(ZnO)を母体材料とする電解質溶液ゲート電界効果トランジスター(SGFET)を作製し,血中の健康指標マーカーである免疫グロブリン(抗体)を高い感度で検出できる小型・軽量のセンサーを開発することを目的とする.
まず,センサーの基盤となるSGFETの構造およびスパッタ成膜条件の最適化と素子の微細化を行い,ドレイン電流と相互コンダクタンスの増大を図る.ゲート絶縁膜には溶液耐性が高く誘電率の高い五酸化タンタルを,電極保護膜には高い耐水性と絶縁性を兼ね備えたSU-8レジストを用いる.試作した素子に対して様々な環境下で動作特性を調べ,実用レベルの動作特性を実現する.次に,溶液ゲート表面にタンパク質固定化の足場となるアミノシラン分子を修飾し,続けて抗体と特異的に結合する核酸分子アプタマーを架橋法で固定化することで,免疫センサー素子を開発する.本年度までに実施して得た研究成果は以下の通りである.
1.高周波マグネトロンスパッタ装置を用いてガラス基板上に酸化マグネシウム亜鉛(ZnMgO)薄膜(バッファ層),InドープZnO薄膜(チャネル層),酸化タンタル薄膜(ゲート絶縁層),を順に積層してSGFET構造を成膜.
2.デバイス加工プロセスを見直すことで,ドレインとソース電極の接触抵抗を低減し,さらにSU-8レジストを用いた素子の微細化によりドレイン電流と相互コンダクタンスを従来の20倍以上に改善
3.溶液ゲート表面ヘイオン感応基を持つアミノシラン分子を固定化し,pHセンサー素子を試作
4.低バイアス条件でセンサー素子を動作させることで,電流ドリフトを従来の1/31以下に低減

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

実際にSGFET素子を試作したところ,繰り返し測定において再現性が得られなかったため,その原因を調べるために時間を費やした.結局,ドレイン電流のゲート電圧依存性に大きなヒステリシスが含まれていることが判明し,低いバイアス点で素子を動作させることで,繰り返し測定において再現性が得られるようになった.

今後の研究の推進方策

SGFET素子のゲート表面にイオン感応基をもつアミノシラン分子を固定化した段階で,市販のシリコンpHセンサーと同等もしくはそれ以上の検出感度と測定精度を得たい.そのためには,低いバイアス条件でも大きなドレイン電流と相互コンダクタンスを有する素子の開発が必要である.最終的には,アミノシラン分子のアミノ基を足場にして架橋法で核酸分子アプタマーを固定化する技術を開発し,試作した免疫センサー素子に対して溶液中の免疫グロブリン抗体の検出特性を調べる予定である.

  • 研究成果

    (18件)

すべて 2012 2011 その他

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (13件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] 酸化亜鉛トランジスターの開発とバイオセンサー応用2011

    • 著者名/発表者名
      矢野満明,小池一歩,佐々誠彦,前元利彦,井上正崇
    • 雑誌名

      材料

      巻: Vol.60-5 ページ: 447-456

    • DOI

      DOI:10.2472/jsms.60.447

    • 査読あり
  • [雑誌論文] 水溶液プロセスによる酸化亜鉛ナノロッドの製作とバイオセンサへの応用2011

    • 著者名/発表者名
      尾形健一,土橋秀章,小池一歩,佐々誠彦,井上正崇,矢野満明
    • 雑誌名

      材料

      巻: Vol.60-11 ページ: 976~982

    • DOI

      DOI:10.2472/jsms.60.976

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electric properties of aqueous solution grown ZnO nanorods on Au/Ti/Si substrates2011

    • 著者名/発表者名
      K. Ogata, H. Dobashi, P. Russel, K.Koike, S. Sasa, M. Inoue, M Yano
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi c

      巻: Vol.8 ページ: 522-524

    • DOI

      DOI:10.1002/pssc.201000521

    • 査読あり
  • [雑誌論文] 単結晶酸化亜鉛薄膜に対する8MeVプロトンの照射効果2011

    • 著者名/発表者名
      小池一歩
    • 雑誌名

      材料

      巻: 60 ページ: 988-993

    • DOI

      10.2472/jsms.60.988

    • 査読あり
  • [学会発表] 酸化亜鉛系イオン感応性電界効果トランジスターのpH検出特性2012

    • 著者名/発表者名
      田辺慎太朗,向井和哉,小池一歩,尾形健一,佐々誠彦,矢野満明
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      2012-03-17
  • [学会発表] 単結晶酸化亜鉛への8MeVプロトンビーム照射と熱処理効果2012

    • 著者名/発表者名
      藤本龍吾
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学
    • 年月日
      2012-03-15
  • [学会発表] 多結晶ZnO/ZnMgOヘテロ構造を用いた溶液ゲート電界効果トランジスタのpHセンシング特性2011

    • 著者名/発表者名
      野上隆弘
    • 学会等名
      日本材料学会半導体エレクトロニクス部門,平成23年度第1回研究会
    • 発表場所
      神戸大学
    • 年月日
      2011-11-21
  • [学会発表] Potentiometric detection of glucose using enzyme-immobilized ZnO nanorod arrays toward integration with field effect transistors2011

    • 著者名/発表者名
      Ken-ichi Ogata
    • 学会等名
      International Workshop on Quantum Nanostructures and Nanoelectronics (QNN2011)
    • 発表場所
      東京大学
    • 年月日
      2011-10-03
  • [学会発表] 単結晶ZnO薄膜に対する8MeVプロトンビームの照射効果2011

    • 著者名/発表者名
      青木隆裕
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学
    • 年月日
      2011-09-01
  • [学会発表] Radiation hardness of ZnO2011

    • 著者名/発表者名
      Kazuto Koike
    • 学会等名
      International Workshop on Advanced Materials and Devices
    • 発表場所
      大阪工業大学
    • 年月日
      2011-08-23
  • [学会発表] Growth of ZnO nanorods from aqueous solution by microwave heating and their application to high sensitive glucose detection2011

    • 著者名/発表者名
      Ken-ichi Ogata
    • 学会等名
      International Workshop on Advanced Materials and Devices
    • 発表場所
      大阪工業大学
    • 年月日
      2011-08-23
  • [学会発表] Radiation hardness of ZnO/ZnMgO HFETs2011

    • 著者名/発表者名
      Tatsuya Yabe
    • 学会等名
      International Workshop on Advanced Materials and Devices
    • 発表場所
      大阪工業大学
    • 年月日
      2011-08-23
  • [学会発表] Zinc oxide ion-sensitive FETs for biosensor applications2011

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Nogami
    • 学会等名
      International Workshop on Advanced Materials and Devices
    • 発表場所
      大阪工業大学
    • 年月日
      2011-08-23
  • [学会発表] Radiation hardness of single-crystalline ZnO2011

    • 著者名/発表者名
      Kazuto Koike
    • 学会等名
      16th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC)
    • 発表場所
      The Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden
    • 年月日
      2011-06-21
  • [学会発表] Zinc oxide-based biosensors2011

    • 著者名/発表者名
      Mitsuaki Yano
    • 学会等名
      16th Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC)
    • 発表場所
      The Royal Institute of Technology, Stockholm, Sweden(招待講演)
    • 年月日
      2011-06-21
  • [学会発表] Irradiation effect of 8MeV protons on single-crystalline zinc oxide2011

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Aoki
    • 学会等名
      2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      関西大学
    • 年月日
      2011-05-19
  • [学会発表] Radiation-proof characteristic of ZnO/ZnMgO HFETs2011

    • 著者名/発表者名
      Tatsuya Yabe
    • 学会等名
      2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      関西大学
    • 年月日
      2011-05-19
  • [備考]

    • URL

      http://www.oit.ac.jp/elc/~koike/

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公開日: 2013-06-26  

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