| 研究課題/領域番号 |
22760504
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
金属物性
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| 研究機関 | 独立行政法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
BAGARINAO Katherine 独立行政法人産業技術総合研究所, エネルギー技術研究部門, 研究員 (00357758)
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| 連携研究者 |
松井 浩明 独立行政法人産業技術総合研究所, 先進製造プロセス研究部門, 研究員 (50431490)
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| 研究協力者 |
JUDITH MacManus-Driscoll ケンブリッジ大学, 材料冶金部門, 教授
STUART Wimbush インダストリアル, リサーチリミテッド, 主任研究員
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2011
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| キーワード | 高温超電導 / YBCO薄膜 / ナノポーラス陽極酸化アルミナ自立膜 / アルゴンイオンミリング / 欠陥 / 磁束ピン止め / 臨界電流密度 |
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| 研究概要 |
本研究では、既に製膜されたYBa_2Cu_3O_<7-δ>(YBCO)薄膜に制御されたナノスケール欠陥(ナノ欠陥)を導入し、上から下まで、かつ、簡単な方法を調べた。従来のアルゴンイオンミリングと併せ、エッチングマスクとして約100nm直径の柱状細孔を有するナノポーラス陽極酸化アルミナ自立膜を用いられ、YBCO薄膜にナノ欠陥を導入した。ナノ欠陥の導入により、YBCO薄膜の臨界電流密度及び磁束ピン止め特性を大きく向上させることが達成した。
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