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遷移金属酸化物で発現する抵抗スイッチング現象のメカニズム解明、特に酸化還元反応の関与を実験的に明らかにすることを目指した。デバイス内部の局所領域で発現するとされる化学変化を検出するためのユニークなデバイス構造として、抵抗変化サイトが予め規定されたナノワイヤー型素子を開発した。 Ni ナノワイヤー素子を用いた三次元ナノ光電子分光実験から、 抵抗スイッチングに伴い NiO への酸化 (高抵抗化) ・金属 Ni への再還元 (低抵抗化)が生じることを見出し、抵抗スイッチングの微視的起源が酸化還元であることを実証することに成功した。
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