タングステン酸化物ナノ構造体の中でもタングステン三酸化物(WO3)ナノロッドの成長メカニズムを調査するために、タングステン酸化物ナノロッドの、成長過程をリアルタイムで観察した。WO3 物ナノロッドが成長するためには、タングステン表面に存在する自然酸化膜が存在する必要があることが判明した。また、ナノロッド内部には多数の積層欠陥の存在が確認された。更に、成長させたタングステン酸化物ナノロッドの電気的特性を測定し、バルクのタングステン酸化物の特性と比較した。その結果ナノロッドはバルクの有する半導体的性質ではなく導体的性質を有することが明らかになった。
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