研究課題
基盤研究(A)
高い電子移動度とグラフェンにないバンドギャップを有する新たな半導体構造の実現のために、これまでに開発された「自律型ウェットナノ加工」を高度化し、微傾斜Si(111)表面を持つ横幅が制御された「H終端化Si原子層リボン」を成型・剥離し、得られる原子層リボンの電子・光学特性を評価することを目的とする。
これまでに独自に開発した「自律型ウェットナノ加工」を発展的に応用する内容で、新規性や独自性は十分で、かつ実現可能性が高い。さらに省／創エネルギーデバイスから量子効果素子への波及効果が期待できる。非常に挑戦的であり、成功した場合の学術的・産業的なインパクトが大きい。
