| 研究課題/領域番号 |
22H00202
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
冨岡 克広 北海道大学, 情報科学研究院, 教授 (60519411)
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| 研究分担者 |
池辺 将之 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 教授 (20374613)
本久 順一 北海道大学, 情報科学研究院, 教授 (60212263)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2026-03-31
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| 研究の概要 |
本研究では、異種の高移動度電荷と量子トンネル電子を１つのナノワイヤに統合・同時制御することにより、各々が有する利点である高性能性と低消費電力性を両立可能な高密度ハイブリッド集積デバイス実現を目指す。これにより、高性能化と低消費電力化が両立された次世代ナノエレクトロニクス技術を実現し、エネルギー消費量の指数関数的増加に対応する。
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| 学術的意義、期待される成果 |
異なる素子原理を、１つのナノワイヤ素子に一度の材料集積で同時に制御するアプローチは、独自性が高い。応募者は、Si上のIII-V族ナノワイヤ成長技術を核として縦型トランジスタ、縦型トンネルFETを提案し、物理限界を下回るサブスレッショルド電圧を実現するなど十分な研究開発実績があり、着実な研究進捗が期待される。
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