| 研究課題/領域番号 |
22H00204
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 審査区分 |
中区分21:電気電子工学およびその関連分野
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
吉川 彰 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (50292264)
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| 研究分担者 |
柿本 浩一 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 特任教授 (90291509)
赤岩 和明 鳥取大学, 工学研究科, 助教 (90778010)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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| 研究の概要 |
次世代の半導体材料として期待されるワイドギャップを有するGa2O3の結晶成長において、現在主流のツルボを用いた成長方法による酸素欠陥の問題を解決するために、本研究では原料の中心部のみを加熱・融解させ、溶け残った原料をルツボ代わりとする「スカルメルト＋Cz法」という新成長法に関する物理現象を解明するものである。
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| 学術的意義、期待される成果 |
本研究は、これまでの溶融成長方法を一変させる独創的かつインパクトのある優れた提案であり、他材料にも展開できるようなルツボフリーな育成法の普遍的な学理の構築を目指すもので学術的意義も大きい。すでに結晶作製や結晶成長シミュレーションなどの予備的検討を開始しており、高い実現性が期待される。
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