研究課題
基盤研究(A)
CMOSのチャネル薄膜化において課題となる移動度の劣化に対して、MOS界面に平行方向に有効質量が小さいサブバンドへのキャリアの占有とMOS界面欠陥や表面ラフネスを低減する技術を組み合わせ、高移動度特性を持つMOSFETの実現を目指す研究である。
CMOSのチャネル薄膜化において課題となる移動度の劣化に対して、5nmを下回るプロセスノードのCMOSで高移動度を実現する材料や構造を明らかにする点において、オリジナリティとともに学術的意義が大きい。本研究を通して移動度の決定メカニズムに関する学理の解明につながることが期待される。