研究課題/領域番号 |
22H00290
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
中区分29:応用物理物性およびその関連分野
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研究機関 | 東京大学 |
研究代表者 |
三輪 真嗣 東京大学, 物性研究所, 准教授 (20609698)
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研究分担者 |
坂本 祥哉 東京大学, 物性研究所, 助教 (50868114)
野本 拓也 東京都立大学, 理学研究科, 准教授 (60804200)
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研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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研究の概要 |
応募者らが調整に成功した良質なトポロジカル反強磁性体を用いた、THz自励発振を実現させる研究である。良質なトポロジカル反強磁性金属薄膜を用いることで、直流スピン流から、その物質の反強磁性スピン構造の自励発振が実現できるかを明らかにしようとする。THz発振は反強磁性スピントロニクスが実現可能(通常のスピントロニクスでは難しい)で有力なアプリケーションの一つであり、将来性も高い研究と評価できる。
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学術的意義、期待される成果 |
THz発振は反強磁性スピントロニクスが目指す目的の一つであり、高い学術的価値が認められる。薄膜のゆがみを利用した対称性チューニングがどの程度有効に作用するか興味があるところで、明確な結論が得られれば、より確固とした物質設計指針を提供できる可能性がある。
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