研究課題/領域番号 |
22H00304
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研究種目 |
基盤研究(A)
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配分区分 | 補助金 |
応募区分 | 一般 |
審査区分 |
中区分30:応用物理工学およびその関連分野
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研究機関 | 名城大学 |
研究代表者 |
岩谷 素顕 名城大学, 理工学部, 教授 (40367735)
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研究分担者 |
上山 智 名城大学, 理工学部, 教授 (10340291)
竹内 哲也 名城大学, 理工学部, 教授 (10583817)
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研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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研究の概要 |
殺菌力と皮膚非侵襲性を備える一方、半導体レーザとして未踏波長領域である遠紫外線C波(205~230nm)にて発振するAlGaN電子線励起レーザの実現を目指す。低閾値化と高効率キャリア励起による反転分布を達成すべく、活性層構造の最適化と偏光制御、高光閉じ込め共振器の形成、ならびに最適な電子線励起法の確立に取り組む。
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学術的意義、期待される成果 |
AlGaN系レーザの遠紫外域拡張における深刻なボトルネックを明確に把握した上で、それらの解決を目指す挑戦的な研究である。電子線励起によって反転分布を実現する試みは独自性があり、活性層構造の最適化も深い洞察と経験に基づくアイデアである。また、ウィルスの不活性化能を有する遠紫外レーザの小型化は社会的な波及効果も大きい。
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