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CMPはもともと数nm程度の表面粗さから加工を始めなければならない．一方，本研究の方法は，CMPに比べると粗い面から始めることができるにもかかわらず，CMPと同程度の1.38nmという面粗さが得られる．単位時間当たりの加工深さ(MRR)は，CMPの0.387μm/hに対し，本手法は216μm/hである．本手法ではCMPと同程度の表面粗さをCMPよりはるかに粗い面から開始して著しく大きな加工量で得ることができる．
以上から本手法ではCMPと同程度の表面粗さで，CMPよりも効率的にサファイアを加工することができるようになる．
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