| 研究課題/領域番号 |
22H04437
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| 研究種目 |
奨励研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
4120:環境解析評価、環境保全対策およびその関連分野
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
吉井 勇治 北海道大学, アイソトープ総合センター, 技術専門職員
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2023-03-31
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| キーワード | 間接作用 / DNA二本鎖切断 / モンテカルロシミュレーション |
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| 研究成果の概要 |
10keV電子線が通過したエネルギー付与をした領域で発生したラジカルによるDNA損傷を模擬した計算モデルでシミュレーションを行った結果、電子線によって発生するDSBは、ヒドロキシラジカル発生から1ナノ秒までに発生する割合が多く、それ以降に発生するDNA損傷はDNA一本鎖切断が中心であった。10keVの電子線の飛跡長は1.5 umであるのに対して、ヒドロキシラジカルが1ナノ秒で拡散する距離は約4nmと短く、間接作用に由来するDSBの発生位置は電子線の飛跡構造の近傍に誘導されることが示された。
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| 自由記述の分野 |
放射線生物学
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本研究成果により、間接作用によるDSBが電子線の飛跡構造の近傍に誘導されることが明らかになり、直接作用により誘導されるDSB位置だけではなく、間接作用も電子線の飛跡構造の影響を受けることが示された。今後さらに研究を進めることで、効率的なDNA損傷の評価法の確立できると考えられる。
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