| 研究課題/領域番号 |
22H04957
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| 研究種目 |
基盤研究(S)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
大区分D
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
長汐 晃輔 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (20373441)
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| 研究分担者 |
上野 啓司 埼玉大学, 理工学研究科, 教授 (40223482)
宮田 耕充 東京都立大学, 理学研究科, 准教授 (80547555)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-27 – 2027-03-31
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| 研究の概要 |
本研究は、２次元層状物質を用いた集積化可能な現実的なデバイス構造に基づいた２次元トンネルトランジスタを初めて提案し、集積化したデバイスでの超低消費電力動作の実証を目指すものである。
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| 学術的意義、期待される成果 |
IoTデバイス普及の課題となっている電子デバイスの超低消費電力化を実現しようとする社会的波及効果の大きい研究であり、研究チームは結晶成長からデバイス設計・作製までを網羅している。同じ層状物質の積層数を制御することで生じるバンドギャップの違いを利用した「同一結晶面内接合」界面を用いるという着想は高く評価でき、Siプロセスと転写を利用した集積化プロセスなど、全体として研究計画は緻密である。デバイスの消費電力を1/10に低減できる集積化可能な２次元トンネルFETの実現が期待される。
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