高品質単結晶薄膜・界面による金属ハライド X-nics の基盤構築

2022 年度 研究概要(採択時)

• 研究課題/領域番号: 22H04958
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 大区分D
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 川崎 雅司 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (90211862)
• 研究分担者: 中村 優男 国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, 上級研究員 (50525780)
• 研究期間 (年度): 2022-04-27 – 2027-03-31