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2023 年度 実施状況報告書

量子ドット超格子における電場増強効果を利用したホットキャリア型太陽電池

研究課題

研究課題/領域番号 22K04183
研究機関神戸大学

研究代表者

原田 幸弘  神戸大学, 工学研究科, 助教 (10554355)

研究期間 (年度) 2022-04-01 – 2025-03-31
キーワード局在表面プラズモン共鳴 / InAs/GaAs量子ドット / 太陽電池
研究実績の概要

本研究では、InAs/GaAs量子ドット超格子を内包する太陽電池において、局在表面プラズモン共鳴を利用した高効率なホットキャリア電流取り出しを実現し、単接合型太陽電池の変換効率限界を突破する、ホットキャリア型太陽電池の学理構築と高効率化技術の開発を目的とする。2023年度は、高密度InAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による自由キャリア吸収特性に関する研究を遂行した。具体的な研究成果は以下の通りである。
○2022年度の研究成果より、電子の擬Fermi準位の上昇に伴って、InAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴の共鳴波長は近・中赤外波長域において短波長側へシフトする。InAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴の共鳴波長を太陽光スペクトルの波長帯域に制御することによって、GaAs層での自由キャリア吸収による励起レートが1桁増大することを、有限要素法をベースとした光電磁場解析によって明らかにした。この計算結果は、AlGaAs/GaAsヘテロ構造で構成された2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池において、InAs/GaAs量子ドット近傍の電場増強効果を利用することでエネルギー変換効率の向上が期待できることを示唆している。
○InAs/GaAs量子ドットの面密度を高くすることによって、自由キャリア吸収の吸収率が増大し、局在表面プラズモン共鳴の共鳴波長が長波長側へシフトすることを明らかにした。また、高い電子密度においては局在表面プラズモン共鳴による散乱は吸収よりも強くなることが明らかになった。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

単接合型太陽電池の変換効率限界を突破するホットキャリア型太陽電池の実現に向けて、高密度InAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による光電場増強特性を解明した。量子ドットにおけるバンド内遷移はホットキャリア型太陽電池の変換効率を向上させるため、局在表面プラズモン共鳴による光電場増強効果を利用することによって、単接合型太陽電池の変換効率限界を突破するホットキャリア型太陽電池の実現が期待できる。

今後の研究の推進方策

単接合型太陽電池の変換効率限界を突破するホットキャリア型太陽電池の実現に向けて、2024年度は、局在表面プラズモン共鳴による光電場増強効果を考慮したInAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池の理論変換効率を明らかにする。

次年度使用額が生じた理由

投稿論文の採否決定が次年度となったため次年度使用額が生じた。当該助成金は論文出版費に使用する。

  • 研究成果

    (9件)

すべて 2024 2023

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 2件、 オープンアクセス 2件) 学会発表 (5件) (うち国際学会 1件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] Electric Field Enhancement Effect by Localized Surface Plasmon Resonance in Heavily-Doped InAs/GaAs Quantum Dots2024

    • 著者名/発表者名
      Mizuto Kawakami, Yukihiro Harada, Shigeo Asahi, Takashi Kita
    • 雑誌名

      Journal of the Society of Materials Science, Japan

      巻: 73 ページ: 178~182

    • DOI

      10.2472/jsms.73.178

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] 量子ドットを内包するヘテロ界面を利用した2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池2023

    • 著者名/発表者名
      朝日 重雄、原田 幸弘、喜多 隆
    • 雑誌名

      応用物理

      巻: 92 ページ: 550~554

    • DOI

      10.11470/oubutsu.92.9_550

  • [雑誌論文] Two-step photon up-conversion solar cell using quantum dots embedded beneath the hetero-interface2023

    • 著者名/発表者名
      Shigeo Asahi, Yukihiro Harada, Takashi Kita
    • 雑誌名

      JSAP Review

      巻: 2023 ページ: 230426-1~5

    • DOI

      10.11470/jsaprev.230426

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [学会発表] 中間バンドを有する熱放射ダイオードの理論発電密度2024

    • 著者名/発表者名
      原田 幸弘, 西井 風花, 喜多 隆
    • 学会等名
      第71回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] Localized Surface Plasmon Resonance of Quantum Dots in Two-Step Photon Up-Conversion Solar Cell Structures2023

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, M. Kawakami, S. Asahi, and T. Kita
    • 学会等名
      50th IEEE Photovoltaic Specialists Conference
    • 国際学会
  • [学会発表] 高ドープInAs/GaAs量子ドットにおける局在表面プラズモン共鳴による赤外光吸収増強2023

    • 著者名/発表者名
      川上 瑞人, 原田 幸弘, 朝日 重雄, 喜多 隆
    • 学会等名
      第84回応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] Enhanced Near-Infrared Absorption by Localized Surface Plasmon Resonance in Heavily-Doped InAs/GaAs Quantum Dots2023

    • 著者名/発表者名
      Y. Harada, M. Kawakami, S. Asahi, and T. Kita
    • 学会等名
      第42回電子材料シンポジウム
  • [学会発表] 局在表面プラズモン共鳴による高ドープInAs/GaAs量子ドットにおける赤外光吸収増強2023

    • 著者名/発表者名
      川上 瑞人, 原田 幸弘, 朝日 重雄, 喜多 隆
    • 学会等名
      第34回光物性研究会
  • [産業財産権] 中間バンドを用いた熱放射発電素子2023

    • 発明者名
      原田 幸弘, 喜多 隆
    • 権利者名
      原田 幸弘, 喜多 隆
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      2023-174708

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公開日: 2024-12-25  

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