| 研究課題/領域番号 |
22K04924
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| 研究機関 | 福井大学 |
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研究代表者 |
エスカニョ MC 福井大学, 遠赤外領域開発研究センター, 准教授 (80714005)
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| 研究分担者 |
QuangT Nguyen 信州大学, 先鋭領域融合研究群先鋭材料研究所, 特任助教 (80722181)
谷 正彦 福井大学, 遠赤外領域開発研究センター, 教授 (00346181)
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| 研究期間 (年度) |
2022-04-01 – 2025-03-31
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| キーワード | グラフェン / 逆ラシュバ・エーデルシュタイン効果 / 強磁性金属 / 第一原理計算 / THz-TDS |
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| 研究実績の概要 |
本研究では、逆ラシュバ・エーデルシュタイン効果(IREE)による貴金属を用いないスヒントロニクステラヘルツエミッターを開発することを目的としている。2023年度は、強磁性金属のNi上のグラフェン(G/Ni)のスヒン輸送を理論的手法によって調へ、実験的にはG/Niの試料の試作目指した。第一原理計算法を用いて、従来のAg/Bi系などよりも高いラシュハ係数とスヒンー電荷変換係数のG/Niの構造が得られた。また、G/Niの構造製作に必要なグラフェン膜の試作と評価を行った。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
研究成果の概要で述へたように、2023 年度の研究目標は、理論的方法による G/Ni のスヒン輸送 (特にスヒン-電荷変換メカニスム、従来の貴金属系より優れた構造)の研究であり、第一原理計算法を用いて従来のAg/Bi系などよりも高いラシュハ係数とスヒンー電荷変換係数を持つG/Niの構造についての見通しが得られた。また、実験的にはG/Niの構造製作に必要なグラフェン膜の試作と評価を行うことができた。
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| 今後の研究の推進方策 |
2024年度はこれまでに計算されたスヒン輸送を用いて、遠方界近似でスヒン流の時間依存性によるTHz波放射(電界の振幅)を理論手法によって求める。また、理論研究で特定されたG/Ni構造を試作し、THz時間領域分光法(THz-TDS)によりTHz波放射の評価を行う。
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